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HGTP7N60B3D |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 168 | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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HGTP7N60B3D参数 产品类别：分离式半导体产品-IGBT - 单路 说明：IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-220AB 包装数量：400 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，7A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：14A 功率 - 最大：60W 输入类型：标准 安装类型：通孔 |
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